وابستگی دما- فرکانس تابع دی الکتریک نانوکریستالهای فریت آلاییده به فلزات واسطه

نانوکریستال های فریت با فرمول cu1-xznxfe2o4، که به یون های دوظرفیتی cu و zn آلاییده می باشد به روش سل- ژل ساخته شدند (x= 0, 0.25, 0.5, 0.75, 1). به وسیله تحلیل طیف xrd توسط نرم افزار maud و تصاویر sem از شکل گیری ساختار مورد نظر اطمینان حاصل شد. پودرها را به شکل قرص درآورده و به کمک دستگاه lcr، مقاومت الکتریکی، ظرفیت، تانژانت اتلاف و امپدانس الکتریکی آن ها اندازه گیری شد. سپس رسانندگی الکتریکی، ثابت دی الکتریک، میزان اتلاف الکتریکی، مدول الکتریکی و امپدانس را در بازه دمایی بین 24 الی 320 درجه سانتی گراد و فرکانس هایی بین hz 12 الی khz 200 مورد بررسی قرار گرفت. ساختار مکعبی اسپینلی با گروه فضایی fd3m با اندازه های نانومتری برای نمونه های مورد مطالعه تایید شد. اندازه گیری های الکتریکی با مدل ساختار لایه ای ماکسول واگنر و همچنین نظریه بنیادی کوپ مطابقت داشتند. فرآیند واهلشی مربوط به قطبش فضایی بار در مدول الکتریکی مشاهده شد. رسانندگی الکتریکی برای فریت ها فرآیند جهشی موضعی متناسب با مدل جانشر را نشان دادند. تغییرات انرژی فعال سازی قبل و بعد از دمای گذار مورد بررسی قرار گرفت. در بررسی نمودار امپدانس، اثر مرزدانه ها مشاهده شد و با مدل محاسبه شده تئوری مقایسه شد. نتایج اثر مقاومت دانه ها را نشان دادند و وجود واهلش غیر دبای را در نمونه تأیید کردند. با افزایش دما ظرفیت و رسانندگی افزایش یافته و زمان های واهلش به مقادیر کوچکتر انتقال پیدا کردند که به ترتیب نشان دهنده آسانتر شدن فرآیند قطبش، افزایش چگالی بار و افزایش موبیلیتی الکترون هاست.